硫酸铜电镀液在半导体制造工艺中常用于电镀、刻蚀等关键环节，其所含有的有机污染物严重影响芯片等产品的性能，对硫酸铜电镀液中的总有机碳（TOC）含量进行精准检测是保障半导体产品质量的重要环节。本文使用总有机碳分析仪TOC-V WP，采用直接法测试了半导体用硫酸铜电镀液中总有机碳含量，该方法操作简便，分析速度快，重现性好，适用于半导体用硫酸铜电镀液中TOC含量测试，为半导体用硫酸铜电镀液中有机物污染控制提供了可靠的技术支持。

氮化硅作为一种重要的陶瓷材料，凭借其卓越的物理与化学特性，在广泛的工业制造及日常生活中占据着独一无二的地位。氮化硅粉末作为制造各类氮化硅制品的基础原料，其品质直接关乎最终产品的性能表现，其中粒度是衡量其质量的关键指标之一。本报告采用配备了多功能流通池的激光粒度分析仪SALD-2300，选用纯水作为分散媒介，对不同种类氮化硅粉末的粒度进行测定，此方法为科学评估氮化硅粉末的质量等级及优化生产流程提供了可靠的技术支撑。

本文利用岛津GCMS-QP2020 NX气质联用仪结合液氮制冷型大气预浓缩仪，建立了半导体制造厂洁净室内117种有机污染物的测定方法。结果显示：在0.1~10.0 nmol/mol浓度范围内，各组分标准曲线线性良好，相关系数均在0.995以上。以浓度为0.5 nmol/mol的标气连续进样5次，各组分峰面积RSD均小于5%，精密度良好。该方法操作简单，定量数据准确可靠，可用于半导体制造厂洁净室内有机污染物的检测。

本文利用岛津GCMS-QP2020 NX气质联用仪结合液氮制冷型大气浓缩仪，建立了芯片制造厂洁净室内空气中65种挥发性有机物（VOCs）的测定方法。结果显示：在0.1~6.0 nmol/mol浓度范围内，各组分标准曲线线性良好，相关系数均在0.995以上。以浓度为0.5 nmol/mol的标气连续进样6次，各组分峰面积RSD%范围在1.71~6.34%之间，精密度良好。该方法操作简单，定量数据准确可靠，可用于芯片制造厂洁净室内空气中VOCs的检测。

本文参考相关行业标准，利用岛津GCMS-QP2020 NX气质联用仪，建立了三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷和甲基三氯硅烷3种甲基氯硅烷含量的检测方法。在0.5~100 mg/kg范围内，3种甲基氯硅烷化合物线性关系良好，相关系数均在0.999以上。取1.0 mg/kg的标准混合溶液，连续5针，进行重复性测试，各组分峰面积RSD均小于5%。加标回收实验中，3种化合物平均回收率均在90%以上。该方法操作简便，能够有效的测定三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷的含量。

本文使用热裂解-气相色谱质谱联用仪对抛光液样品分别进行裂解气模式（EGA）分析和双步裂解模式（Double-Shot）分析，通过谱库检索功能可获得样品中大分子聚合物和低沸点小分子的信息。该方法样品用量少，操作简单，结果可靠，可较全面地定性抛光液中的有机成分。