傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率，并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理，可方便地扫描得到红外谱图，从而得到碳氧相关信息，对硅材料质量控制起到指导作用。

本文介绍了一个运用Xslicer SMX-6000微焦点X射线检查装置的X射线透视和CT 功能，对BGA芯片进行的实例观察。针对CPU透视放大后金线邦定现象进行检测。

本文介绍了一个运用Xslicer SMX-6000微焦点X射线检查装置的X射线透视和CT 功能，对CPU进行的实例观察。针对CPU透视放大后金线绑定现象进行检测。

本文介绍了一个运用Xslicer SMX-6000的微焦点X射线检查装置的X射线透视及CT 对大型电路板的实例观察。针对电路板中的BGA 透视放大后测量气泡率，再对晶体管中的绑定线透视放大观察细节，对于PIN脚和BGA采用45度透视观察焊锡情况。最后介绍了运用CT 观察和BGA 和晶体管的内部气泡和绑定线，展示了3D效果图。

随着电子技术的飞速发展，对安装在产品中的电子零部件提出了小型化和更高功能性的要求。其中，“晶体单元”和“晶体振荡器”之类的晶体元器件对产品的精确动作来说是不可或缺的。本文介绍了使用微焦X射线CT系统inspeXio™ SMX™-225CT FPD HR Plus（图1）对晶体振荡器的内部结构进行观察的事例。

本文分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源表征GaN半导体材料，可以得到三种靶材时的各元素精细谱结果，单色Ag靶作为激发源时可以使Ga LMM俄歇峰与N 1s主峰有效分离，得到准确的化学态分析结果。