本文分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源表征GaN半导体材料，可以得到三种靶材时的各元素精细谱结果，单色Ag靶作为激发源时可以使Ga LMM俄歇峰与N 1s主峰有效分离，得到准确的化学态分析结果。

傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率，并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理，可方便地扫描得到红外谱图，从而得到碳氧相关信息，对硅材料质量控制起到指导作用。

本文参考相关行业标准，利用岛津GCMS-QP2020 NX气质联用仪，建立了三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷和甲基三氯硅烷3种甲基氯硅烷含量的检测方法。在0.5~100 mg/kg范围内，3种甲基氯硅烷化合物线性关系良好，相关系数均在0.999以上。取1.0 mg/kg的标准混合溶液，连续5针，进行重复性测试，各组分峰面积RSD均小于5%。加标回收实验中，3种化合物平均回收率均在90%以上。该方法操作简便，能够有效的测定三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷的含量。