硫酸铜电镀液在半导体制造工艺中常用于电镀、刻蚀等关键环节，其所含有的有机污染物严重影响芯片等产品的性能，对硫酸铜电镀液中的总有机碳（TOC）含量进行精准检测是保障半导体产品质量的重要环节。本文使用总有机碳分析仪TOC-V WP，采用直接法测试了半导体用硫酸铜电镀液中总有机碳含量，该方法操作简便，分析速度快，重现性好，适用于半导体用硫酸铜电镀液中TOC含量测试，为半导体用硫酸铜电镀液中有机物污染控制提供了可靠的技术支持。

傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率，并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理，可方便地扫描得到红外谱图，从而得到碳氧相关信息，对硅材料质量控制起到指导作用。

树脂是光刻胶的主要成分之一，本文采用岛津高效液相色谱—四极杆飞行时间质谱联用系统，建立了光刻胶中酚醛树脂的轮廓分析方法。光刻胶原液经四氢呋喃稀释，C18色谱柱分离，LCMS-QTOF正负离子模式同时采集，LabSolutions Insight Explore软件解析。结果显示，该树脂正离子模式以[M+NH4]+、[M+Na]+为主，负离子为[M-H]-峰，是一种以甲酚或二甲酚为起始，二甲酚或三甲酚为延长单元的聚合物，端聚合度（DP）2-10。该方法灵敏度高，分离度好，适用于光刻胶树脂成分分析。