本文分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源表征GaN半导体材料，可以得到三种靶材时的各元素精细谱结果，单色Ag靶作为激发源时可以使Ga LMM俄歇峰与N 1s主峰有效分离，得到准确的化学态分析结果。

本文介绍运用inspeXio SMX-225CT FPD HR Plus微焦点X射线CT系统观察BGA芯片内部结构。使用VG软件虚拟出三维立体图，可观察绑定线断线。通过CT截面可观察芯片破损、锡球变形、锡球破损及锡球气泡等缺陷。使用VG软件缺陷模块计算BGA锡球中的气泡率，呈现气泡分布立体效果图。

傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率，并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理，可方便地扫描得到红外谱图，从而得到碳氧相关信息，对硅材料质量控制起到指导作用。