硫酸铜电镀液在半导体制造工艺中常用于电镀、刻蚀等关键环节，其所含有的有机污染物严重影响芯片等产品的性能，对硫酸铜电镀液中的总有机碳（TOC）含量进行精准检测是保障半导体产品质量的重要环节。本文使用总有机碳分析仪TOC-V WP，采用直接法测试了半导体用硫酸铜电镀液中总有机碳含量，该方法操作简便，分析速度快，重现性好，适用于半导体用硫酸铜电镀液中TOC含量测试，为半导体用硫酸铜电镀液中有机物污染控制提供了可靠的技术支持。

对于微电子行业中的电子电器、SMT 加工、BGA 及半导体封装等方面，通过使用工业X-Ray 及 CT 检测技术，可以检测电子电器内部在制造过程中产生的缺陷，例如:搭桥连结、虎焊、断线、多锡少锡、气泡、裂纹及杂质等；岛津NDI 设备是这个行业的领先者，至今已有100 多年的历史，在行业内的探究、钻研和开发积累了十分丰厚的技术与经验，有多款X射线透视及CT设备应对微电子产业。而且我们使用了岛津其它设备与NDI 搭配进行了更深、更广的研究(微观、内部、瞬间画面等)，如高速摄像机、电子探针、试验机等设备。

本文参考相关行业标准，利用岛津GCMS-QP2020 NX气质联用仪，建立了三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷和甲基三氯硅烷3种甲基氯硅烷含量的检测方法。在0.5~100 mg/kg范围内，3种甲基氯硅烷化合物线性关系良好，相关系数均在0.999以上。取1.0 mg/kg的标准混合溶液，连续5针，进行重复性测试，各组分峰面积RSD均小于5%。加标回收实验中，3种化合物平均回收率均在90%以上。该方法操作简便，能够有效的测定三氯氢硅中甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷的含量。