本文分别采用单色Al靶、单色Ag靶、双阳极Mg靶作为X射线源表征GaN半导体材料，可以得到三种靶材时的各元素精细谱结果，单色Ag靶作为激发源时可以使Ga LMM俄歇峰与N 1s主峰有效分离，得到准确的化学态分析结果。

采用TOC-L CPH总有机碳分析仪与TNM-L总氮单元在高温催化氧化高灵敏模式下，建立了一种半导体级过氧化氢中总氮的直接测定方法。 样品直接进样无需前处理，操作简便，一针进样3分钟内就可以得到测试结果，分析速度快。超高灵敏度，检出限可达 1.8 μg/L，完全满足半导体行业的要求。

本文介绍运用inspeXio SMX-225CT FPD HR Plus微焦点X射线CT系统观察LGA内部结构。使用CT扫描后通过岛津公司软件MPR立即显示CT截面图，观察内部结构。通过VG软件观察内部气泡缺陷。使用VG软件缺陷模块计算LGA中的气泡率，呈现气泡分布立体效果。