本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》，利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪，采用粉末压片制样方法，测定多晶硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线，各杂质元素标准曲线线性良好，平行测定10次，各杂质组分分析精度良好。方法适用于多晶硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定，满足多晶硅生产对杂质成分的检测需求。

本文参考美国药典《USP232》对重金属元素的限量要求，采用微波消解西药样品，氢化物发生电感耦合等离子体发射法（HVG-ICP-AES）测定西药样品中砷和汞的含量。实验结果表明，砷和汞线性关系及重现性良好，定量准确，回收率在87.60％~98.33％之间，砷的检出限为0.03 mg/kg，汞的检出限为0.01 mg/kg。HVG-ICP-AES测定西药中砷和汞的含量，具有灵敏度高、稳定性好等优点，完全能够满足美国药典对重金属限量值的测定要求。

2020年版《中国药典》一部药材及饮片部分品种项下规定了黄曲霉毒素B1、B2、G1、G2的限度。通则《2351 真菌毒素测定法》第一法 黄曲霉毒素测定法明确了黄曲霉毒素B1、B2、G1、G2的分析方法。