随着基因组编辑技术的出现，对靶基因进行特异性破坏或者引入靶基因已经很容易。确认基因组编辑结果时，需要确认靶基因上是否存在突变。最可靠的方法是直接分析序列，但是当对多个样本进行验证时这种方法成本很高。有一种简易方法是，通过电泳分析野生型和突变型的异源双链体，并利用同源双链体与异源双链体之间的迁移率差异进行确认（异源双链体迁移率分析：HMA法）。该方法作为一种可以通过使用全自动电泳装置轻松确认基因组编辑结果的工具得到了普及。

本文介绍了一个运用SMX-6000微焦点X射线检查装置的X射线透视及CT对碳化硅MOSFET的实例观察。针对碳化硅MOSFET进行透视，观察发现内部碳化硅晶片和铜基体的焊料部分有白色气泡。侧立时发现是使用铝线和碳化硅晶片进行连接。针对透视图中碳化硅晶片焊接部分使用CT扫描，能够清晰观察出内部气泡，并进行测量。

基因毒性杂质是指化合物本身直接或间接损伤细胞DNA，产生致突变和致癌的物质。基因毒性物质的特点是在很低的浓度时即可造成人体遗传物质的损伤，进而导致基因突变并可能促使肿瘤发生 。目前基因毒性列表中有1574种致癌物质，其中苯并芘、甲磺酸酯类、偶氮苯类、N-亚硝胺等物质属于高基因毒性物质。因基因毒性杂质毒性较强，对用药的安全性产生了强烈的威胁。 近年来，已上市药品中发现痕量的基因毒性杂质残留而发生大范围的医疗事故，继而被召回的案例，时有发生，给药厂造成了巨大的经济损失。 因此世界各国的法规机构都对基因毒性杂质做了明确的规定和要求。