本文介绍了用岛津DUH型动态超显微硬度计，对钢样品表面镀层，进行动态压痕硬度的试验，评价镀层的硬度均匀性。

本文参考GB/T 14849.5-2014《工业硅化学分析方法 第5部分:元素含量的测定 X 射线荧光光谱法》，利用岛津XRF-1800波长色散型X射线荧光光谱仪，采用粉末压片制样方法，测定多晶硅中杂质元素含量。利用工业硅标准样品建立相应工作曲线，各杂质元素标准曲线线性良好，平行测定10次，各杂质组分分析精度良好。方法适用于多晶硅中铁、铝、钙、锰、镍、钛、铜、磷、镁、铬、钒、钴含量的测定，满足多晶硅生产对杂质成分的检测需求。

分子从激发态向基态跃迁时，通常会伴随荧光发射现象，其发光效率（η）由下列公式表示，具体取决于辐射跃迁（WR）和非辐射跃迁（WNR）的比率。η = WR / (WR + WNR)在发光现象中，周围环境对激发态的跃迁影响很大，特别是热的影响。当热的影响变大时，非辐射跃迁增加，会导致发光效率降低，所以获得的发光强度会降低。因此，很多测定是在使用液氮等降低样品温度的情况下进行的。本次将介绍使用荧光分光光度计RF-6000 及低温测定单元 *1 测定液氮温度（77K）下的液体/ 粉末的事例。