本文对Sn掺杂的C12A7: e-驻极体纳米粒子的表面化学性质进行了全面的X射线光电子能谱（XPS）表征，结果表明在掺杂的C12A7: e-纳米颗粒的表面上，Sn物种主要以Sn4 +的形式存在。通过单Ar+和Ar团簇离子刻蚀研究了元素随深度的分布情况。结果表明，Sn在表面富集，氩离子刻蚀会将部分Sn4+还原为金属态Sn，Ar团簇离子刻蚀对Sn4+的还原作用要弱于单Ar+刻蚀。刻蚀后元素Ca，Al，O的化学状态和分布没有明显变化。本研究对掺杂的C12A7: e-纳米粒子的化学状态分析提供了新颖的见解。

对医疗材料表面的异物使用岛津能量色散X射线荧光和红外光谱仪进行测试,解析得到的异物成分与与文献报道一致。

本文介绍使用岛津电子万能试验机AGS-X 50N 进行复合材料（CFRP）V型切口梁试样（V-Notched Beam）霍氏法剪切试验的示例（参考ASTM D5379标准）。该方法作为面内剪切试验法被广泛应用于复合材料领域。本次试验对V型缺口样的样片以非对称的4个点支撑并加载压缩载荷，可在试验部位加载单纯剪切应力的试验方法。该方法夹具先对容易且便于放置样片，适用于测量单项材料、交错层压材料以及短纤维材料等各种CFRP层压材料。