硫酸铜电镀液在半导体制造工艺中常用于电镀、刻蚀等关键环节，其所含有的有机污染物严重影响芯片等产品的性能，对硫酸铜电镀液中的总有机碳（TOC）含量进行精准检测是保障半导体产品质量的重要环节。本文使用总有机碳分析仪TOC-V WP，采用直接法测试了半导体用硫酸铜电镀液中总有机碳含量，该方法操作简便，分析速度快，重现性好，适用于半导体用硫酸铜电镀液中TOC含量测试，为半导体用硫酸铜电镀液中有机物污染控制提供了可靠的技术支持。

随着电子技术的飞速发展，对安装在产品中的电子零部件提出了小型化和更高功能性的要求。其中，“晶体单元”和“晶体振荡器”之类的晶体元器件对产品的精确动作来说是不可或缺的。本文介绍了使用微焦X射线CT系统inspeXio™ SMX™-225CT FPD HR Plus（图1）对晶体振荡器的内部结构进行观察的事例。

本文利用岛津超高效液相色谱-飞行时间质谱仪，建立了普萘洛尔中杂质N-亚硝基普萘洛尔的检测方法。亚硝基普萘洛尔在0.5～20 ng/mL浓度范围内，其相关系数大于0.999，精确度在91.7%～104.1%；对的标准工作溶液（n=6）和QC溶液（n=2）进行重现性考察，保留时间RSD为0.13%，面积RSD为10%，仪器精密度良好。加标回收实验中，考察了线性最低点浓度0.5 ng/mL，回收率为96%～106%；该方法满足检测要求，同时采用了切阀的方式减少质谱的污染，可有效应对FDA发布的对于普萘洛尔药物产品中的亚硝胺类杂质N-亚硝基普萘洛尔的检测。